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后段铜制程中的一种介电层剥落缺陷问题的探讨

         

摘要

在4xnm的后段铜制程生产过程中,发现了一种典型的剥落状缺陷落于晶圆的表面,造成了产品良率的损失。通过缺陷的深入分析与实验,我们最终找到其生成的原因,对其形成的机理进行了讨论。最终成功的解决了这个缺陷问题。

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