降低大面阵CCD多晶硅刻蚀对氮化硅损伤的非均匀性

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• 来源
  《电子技术》 |2021年第2期|4-7|共4页
• 作者

  袁安波; 杨修伟; 何建强; 向华兵; 方刚;

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• 作者单位

  重庆光电技术研究所;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 制造工艺;
• 关键词

  大面阵; CCD; 多晶硅刻蚀; 氮化硅; 非均匀性;