0.13 μm CMOS工艺抗辐射触发器优化设计

李晓蓉; 周昕杰

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0.13 μm CMOS工艺抗辐射触发器优化设计

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随着体硅CMOS工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,电路受到单粒子辐射效应的影响会变得越来越严重.在大尺寸工艺条件下常用的DICE结构触发器结构,在受到单粒子效应影响后,会产生一定脉宽的扰动并传输至下一级,对整个电路的可靠性产生影响.为消除上述影响,采用了C单元结构对触发器的输出端口进行优化设计,将原有的一个结点输出结构优化为利用两个互补的存储结点作为C单元结构的输入.利用仿真手段对优化后的结构进行验证,证明了优化后的结构有很好的抗扰动能力,同时通过优化版图设计,提升触发器结构的抗辐射能力.经过此次对触发器的优化设计,为今后超深亚微米抗辐射电路的设计提供了借鉴.

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来源
《电子与封装》 |2015年第10期|26-29|共4页
作者
李晓蓉; 周昕杰;
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作者单位

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
辐射效应; 抗辐射设计; 触发器;

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