浅析集成电路产业现状与对策

肖力; 赵莹

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未来全球半导体90nm、65nm和45nm技术进入量产,其芯片尺寸缩小40%、功耗减少30%、速度加快20%.酷睿Ⅱ4核CPU芯片的晶体管已达到8.2亿只.动态存储器将发展到DDR3,其容量巳提升至4Gb.NAND Flash和NOR Flash的存储容量已达到16Gb.32nm工艺技术生产的32Gb快闪存储器也成为现实,西欧,中东晶圆厂新增计划6项,投资过60亿美元.东南亚等区域计划投资16项.国内集成电路产量和销售年均增长30%,制造技术进入90nm,12英寸生产已进入批量生产阶段.设计达到0.18 μm,少数达到0.13μm技术.08年产值同比增长8.3%,但第三季度增长下降.

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来源
《电子与封装》 |2008年第12期|40-44|共5页
作者
肖力; 赵莹;
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作者单位

中国电子科技集团第五十八研究所,江苏,无锡,214035;

中国电子科技集团第五十八研究所,江苏,无锡,214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类封装及散热问题;
关键词
集成电路; 纳米技术; 发展趋势; 投资计划; 产值增幅;

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