首页> 中文期刊> 《电子与封装》 >高压PLDMOS器件的优化设计

高压PLDMOS器件的优化设计

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深,沟道区的长度、浓度,场极板的长度对高压PLDMOS击穿电压的影响.最终得到一组最佳的PLDMOS器件的参数.优化设计的高压PLDMOS器件的流片测试结果为:关态和开态击穿电压分别在200V和160V以上.

著录项

来源
《电子与封装》 |2007年第1期|23-28|共6页
作者
肖金玉;
展开▼
作者单位

东南大学IC学院,南京,210096;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
PLDMOS; 漂移区; 沟道区; 场极板;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 基于共享Buffer的LIGBT和PLDMOS器件研究 [J] . 张恩阳 ,黄勇 ,孟令锋 . 电子与封装 . 2018,第002期
2. TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计 [J] . 颜世朋 ,薛智民 ,王清波 . 电子设计工程 . 2017,第012期
3. LDMOS器件ESD防护特性分析与优化设计 [J] . 王涛 ,黄龙 ,潘建华 . 电子与封装 . 2017,第008期
4. 采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计 [J] . 慈朋亮 . 电子元件与材料 . 2016,第008期
5. LDMOS器件软失效分析及优化设计 [J] . 黄龙 ,梁海莲 ,毕秀文 . 固体电子学研究与进展 . 2014,第6期
6. 混合双极-MOS器件及电路的优化设计 [C] . 侯晓华 . 第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 . 1997
7. 200V SOI-PLDMOS器件的优化设计及其可靠性分析 [A] . 叶楚楚 . 2013

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号