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0.4~0.25μm时代的离子注入技术

         

摘要

@@ 1超微细MOS中的离子注入rn对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

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    《电子与封装》 |2002年第5期|51-54|共4页
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