抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

LI Yanfei; ZHU Shaoli; WU Jianwei; XU Zheng; HONG Genshen

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抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

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通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电.通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失.

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来源
《电子与封装》 |2019年第2期|38-41|共4页
作者
LI Yanfei; ZHU Shaoli; WU Jianwei; XU Zheng; HONG Genshen;
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正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
高压SOI NMOS; 背栅效应; 总剂量; 抗辐射加固;

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