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玻璃基RDL传输线的特征阻抗与损耗研究

     

摘要

玻璃基转接板由于具有优越的电学性能,是未来高速与高密度封装的关键技术之一.利用实测与仿真的方法,研究了玻璃基上RDL(redistribution layer)传输线尺寸的改变对其特征阻抗的影响情况,为设计具有阻抗管控的玻璃基RDL传输线提供了参考,并对玻璃基和硅基RDL传输线的高频损耗进行了测试.结果显示,在40 GHz时,玻璃基RDL传输线的插入损耗约为-0.2 dB/mm,远高于硅基RDL传输线,因而更适合应用于高频高速产品中.实测与仿真的结果吻合较好.

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