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李学会; 黄昌民; 詹小勇; 许玉欢;
无锡昌德微电子股份有限公司;
江苏无锡214028;
增强型VDMOS; 耗尽型VDMOS; 元胞结构; 隔离结构; 工艺设计;
机译:集成InAlAs / InGaAs / InP增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管,用于高速电路应用
机译:使用集成的增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管制造和表征InAlAs / InGaAs / InP环形振荡器
机译:使用栅极嵌入的GaN的增强型和耗尽模式金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管集成单片逆变器
机译:用于GaN数字集成电路的增强型和耗尽型AlGaN / GaN HEMT的单片集成
机译:基于氮化铝镓的增强型和耗尽型HEMT的工艺开发。
机译:一个支持将临床数据集成到增强型和替代性通信服务交付中的mHealth平台:以用户为中心的设计和可用性评估
机译:使用SiO2和Si3N4的比例缩放45nm nMOS器件中的增强型泄漏控制
机译:用于路面设计的增强型集成气候模型的校准和验证
机译:沟槽栅极耗尽型VDMOS器件和制造方法
机译:沟道栅耗尽型VDMOS器件及其制造方法
机译:具有增强型和耗尽型FET的集成电路-通过布局修改可同时生产两种类型的集成电路,而无需额外的照相阶段
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