铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

武艳青; 赵润; 赵永林; 宋红伟; 于峰涛

首页> 中文期刊> 《电子与封装》 >铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析.采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加.金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关.通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT).

著录项

来源
《电子与封装》 |2019年第8期|31-35|共5页
作者
武艳青; 赵润; 赵永林; 宋红伟; 于峰涛;
展开▼
作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所;

石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

石家庄050051;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

石家庄050051;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
P型 InGaAs; 界面空洞; 合金温度; 扩散; 膜层厚度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响 [J] . 朴海镇 ,陈辰嘉 ,郭长志 . 半导体光电 . 1998,第6期
2. 镓铝砷半导体激光和铟镓砷半导体激光临床应用数据分析 [J] . 王勉镜 ,龚卓 ,虎立军 . 中国激光医学杂志 . 2007,第5期
3. 镓铝砷和铟镓砷半导体激光热凝固效应比较的方法 [J] . 龚卓 ,王勉镜 ,高孟林 . 中国激光医学杂志 . 2002,第4期
4. 镓铟砷磷／磷化铟掩埋新月形激光器 [J] . 王清正 ,张文芳 . 电子科技大学学报 . 1989,第001期
5. 基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器 [J] . 胡之厅 ,陈刚 ,甘桃 . 红外与毫米波学报 . 2019,第003期
6. 平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究 [C] . 吴小利 ,中国科学院研究生院 ,唐恒敬 . 2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会 . 2007
7. 铟镓砷表面形貌相变动态化过程的研究 [A] . 黄旭 . 2009

铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅