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多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

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摘要

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6～0.8 nm.同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30％改善至20％,片间均匀性从12％改善至9％,显著提升了产品的成品率.

著录项

来源
《电子与封装》 |2021年第4期|50-53|共4页
作者
孙建洁; 张可可; 许帅; 张明;
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作者单位

无锡中微晶园电子有限公司江苏无锡214035;

无锡中微晶园电子有限公司江苏无锡214035;

无锡中微晶园电子有限公司江苏无锡214035;

无锡中微晶园电子有限公司江苏无锡214035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
多晶硅发射极晶体管; 放大系数; 界面氧化层; 退火;

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