厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器芯片工艺优化研究

张玲玲; 郭凤丽; 石磊

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摘要

核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础设备.PMOS管已广泛应用于γ射线剂量探测领域,提高厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器的制造合格率、降低生产成本有利于厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器在核技术方面的应用.从芯片制造工艺入手,分析关键指标PMOS管阈值电压的影响因素,采取有效控制措施,使厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器的制造成本降低30％.

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来源
《电子与封装》 |2021年第9期|77-80|共4页
作者
张玲玲; 郭凤丽; 石磊;
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作者单位

中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072;

中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072;

中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测量和检验;
关键词
PMOS; 厚栅氧; 阈值电压;

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