一种低功耗无运放结构的基准电压源设计

黄祥林; 李富华; 宋爱武

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一种低功耗无运放结构的基准电压源设计

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运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到有效提高.基于0.18 μmCMOS工艺,使用Cadence中Spectre环境进行仿真,在标准TT工艺下,该基准电压源在-40～125°C的温度范围内,基准电压的变化仅为1.627 mV,温度系数为9.56×104/°C,电源抑制比为-72.11 dB,使用5 V电源电压供电时,此基准电压源整体只消耗了164.8nA的电流,功耗仅为0.824μW.该基准电路不仅结构简单,还具有低功耗、高电源抑制比、无运放结构的优点.

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来源
《电子与封装》 |2021年第11期|36-41|共6页
作者
黄祥林; 李富华; 宋爱武;
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作者单位

苏州大学电子信息学院江苏苏州 215000;

苏州大学电子信息学院江苏苏州 215000;

苏州大学电子信息学院江苏苏州 215000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
基准电压源; 亚阈值区; 低功耗; 高电源抑制比; 无运放结构;

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