飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率

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飞兆半导体公司全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助于提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值55pF）和总体栅极电荷（1nC），以提升DC—DC升压设计的效率。FDFME3N311ZT采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，

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来源
《电子与封装》 |2009年第10期|48-48|共1页
作者
本刊通讯员;
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变换器;各种开关;
关键词
飞兆半导体公司; 设计实现; DC; 升压; 开关; 高效率; 步进; 高频;

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