碳化硅器件挑战现有封装技术

曹建武; 罗宁胜; Pierre Delatte; Etienne Vanzieleghem; Rupert Burbidge

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碳化硅器件挑战现有封装技术

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碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。

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来源
《电子与封装》 |2022年第2期|12-24|共13页
作者
曹建武; 罗宁胜; Pierre Delatte; Etienne Vanzieleghem; Rupert Burbidge;
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作者单位

CISSOID中国代表处;

CISSOID S.A. Saint Guibert;

CISSOID S.A.;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
功率器件; 碳化硅; 封装技术; 连接技术; 电力牵引驱动系统; 基板; 散热底板; 热膨胀系数;

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