SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述

周泽坤; 曹建文; 张志坚; 张波

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凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。

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来源
《电子与封装》 |2022年第2期|1-11|共11页
作者
周泽坤; 曹建文; 张志坚; 张波;
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作者单位

电子科技大学功率集成技术实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
电磁干扰噪声; 能量损耗; 栅驱动; SiC MOSFET;

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