一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

周淼; 汤亮; 何逸涛; 陈辰; 周锌

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一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

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基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明,该器件的耐压达到816 V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm^(2)。

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来源
《电子与封装》 |2022年第9期|74-79|共6页
作者
周淼; 汤亮; 何逸涛; 陈辰; 周锌;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十八研究所;

株洲中车时代半导体有限公司;

电子科技大学功率集成技术实验室;

电子科技大学广东电子信息工程研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN323.4;
关键词
介质场增强理论; 横向绝缘栅双极型晶体管; 线性变掺杂技术; 超结; 击穿电压; 比导通电阻;

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