基于GaN器件的双Buck逆变器共模与损耗

机译：适用于双二电平逆变器的近状态PWM，以降低共模电压和开关损耗

机译：基于混合开关的T型中性点夹紧逆变器中的中性点平衡控制的改进空间矢量调制，损耗和共模电压降低

机译：掺硼GaN栅极盖层的增强模式双异质结构DH-HEMT的器件特性，用于全桥逆变器电路

机译：基于GaN器件的LLC，双有源桥和相移准开关电容器电路的器件损耗比较

机译：GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征

机译：基于GaN超表面的高效可见光透射偏振器件

机译：基于频谱量化方法的VHF等级φ2逆变器线性等效模型降低GaN反向传导损耗

机译：GaN功率电子器件：从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。

机译：在硅衬底上生长GaN晶体的方法，制造基于GaN的发光器件的方法和基于GaN的发光器件

机译：具有降低共模噪声的单相逆变器的功率装置布置，以降低功率损耗

机译：具有双包层-双异质结构的基于gan的发光器件的制造方法