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高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(Ⅰ)──氧化剂

         

摘要

介绍了化学机械抛光(CMP)的基本原理。概述了Co作为阻挡层及互连材料时,化学机械抛光液中常用氧化剂(包括H_(2)O_(2)、NaClO和K_(2)S_(2)O_(8))的研究进展和作用机制。

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