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化学机械抛光中Co/Ti电偶腐蚀与去除速率选择性研究

         

摘要

通过电化学测试研究了pH、配位剂(柠檬酸钾)和缓蚀剂[包括1,2,4-三氮唑(TAZ)和3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑(AMTA)]对Co/Ti电偶腐蚀的影响.结果表明,溶液pH升高会增大Co与Ti之间的腐蚀电位差.当pH=8时,加入0.5%(质量分数)柠檬酸钾会加剧Co和Ti之间的电偶腐蚀,而再加入缓蚀剂TAZ或AMTA能够抑制电偶腐蚀.由化学机械抛光(CMP)结果可知,随着TAZ或AMTA质量分数的提高,Co和Ti的去除速率都降低.抛光液中加入质量分数为0.1%的TAZ或AMTA时,Co与Ti的去除速率比分别为1.064和1.098.

著录项

  • 来源
    《电镀与涂饰》 |2021年第1期|48-53|共6页
  • 作者单位

    河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 微电子学、集成电路(IC);
  • 关键词

    钴; 钛; 缓蚀剂; 电偶腐蚀; 化学机械抛光;

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