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杨鑫; 赵晗; 高学军; 陈臻林; 王放; 曾祥国;
成都理工大学环境与土木工程学院;
四川大学建筑与环境学院深地科学与工程教育部重点实验室;
西南大学材料与能源学院;
非平衡态分子动力学; 单晶与纳米多晶锡; 应力波演化; 断裂方式; 孔洞体积分数;
机译:单晶和多晶硅钇稳定的氧化锆的纳米indentation:通过实验和分子动力学模拟的比较研究
机译:单晶和多晶铜纳米粒子聚集的分子动力学模拟
机译:多晶硅和单晶硅的纳米压痕:分子动力学模拟和实验验证
机译:分子动力学通过分子动力学研究单晶硅硅的纳米机加工机理
机译:烷烃硫醇自组装单分子层,反应性自组装单分子层,扁平金纳米颗粒/铟锡氧化物基质的生长介质和温度依赖性结构相的扫描隧道显微镜研究,以及互补金属氧化物中局部机械应力表征的扫描表面光电压显微镜研究半导体器件。
机译:预裂单晶/多晶石墨烯片断裂性能的数值研究
机译:多晶硅和单晶硅的纳米压痕:分子动力学模拟和实验验证。
机译:金属纳米粒子模拟HDL样纳米粒子的胆甾醇(pOsTpRINT)分子动力学模拟及实验研究。
机译:电子部件,例如陶瓷电容器,具有包含多晶锡和锡晶粒的外电极层,所述多晶锡和锡晶粒具有在锡晶粒边界处的边界和不同于锡的另一种金属的原子。
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:通过将离子注入多晶金属层中并加热以产生单晶层来制造低电阻单晶金属层的方法
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