相变光盘的重写技术

侯印春

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＜正＞ 1.前言1968年Ovshinsky等人发表了用硫系化合物薄膜制成的双向存储器,利用非晶态与晶态相变获得可逆存储效应,从而受到重视。作者则发现利用物质结构变化的光记录介质,即Te-TeO2系薄膜。目前,这种追记型光盘已用于图像存储、文件存储、数据存储、并逐渐形成市场。然而,利用相变的可逆存储器,很长时间

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来源
《激光与光电子学进展》 |1990年第4期|28-29|共2页
作者
侯印春;
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