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在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体上制成超晶格光波导

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＜正＞最近,松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延（MOVPE）法开发Ⅱ-Ⅲ族化合物半导体的超晶格制作技术,以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs上形成100层Ⅱ-Ⅵ族的ZnSe/ZnS超晶格层。用这一超晶格层制出负载型光波导,以He-Ne激光入射,第一次成功地做了超晶格三维可见光波导实验。

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来源
《激光与光电子学进展》 |1989年第2期|22-23|共2页
作者
潘守夔;
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