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日本开发出正电子束探伤三维成像技术

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摘要

最近，日本产业技术综合研究所开发出了正电子束探伤三维成像技术。该技术是利用正电子束在短时间内对原子般大小的超微缺陷或空隙分布进行三维成像分析。有关专家称，此技术可广泛应用于需要控制超微缺陷的半导体器件等尖端材料开发领域。

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来源
《国外核新闻》 |2008年第9期|32|共1页
作者
李韡（译）; 闫淑敏（校）;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.24;
关键词
日本产业技术综合研究所; 三维成像技术; 正电子束; 材料开发; 探伤; 半导体器件; 成像分析; 微缺陷;

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