首页> 中文期刊> 《甘肃科技》 >Si/SiO2/p-Si结构的电学特性

Si/SiO2/p-Si结构的电学特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用射频磁控溅射法在p-Si衬底上制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其电学特性进行了分析.结果表明,样品具有很好的整流作用,起整流作用的势垒存在于(Si/SiO2)/p-Si界面附近.

著录项

来源
《甘肃科技》 |2008年第7期|83-84|共2页
作者
马自军; 马书懿;
展开▼
作者单位

甘肃农业大学,理学院,甘肃,兰州,730070;

西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
Si/SiO2薄膜; 射频磁控溅射; I-V特性; 能带图;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Au/(Si/SiO2)/p-Si结构中电流输运机制的研究 [J] . 张开彪 ,马书懿 . 电子元件与材料 . 2005,第007期
2. Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究 [J] . 张汉谋 ,马书懿 . 西北师范大学学报（自然科学版） . 2006,第004期
3. Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性 [J] . 陈彦 ,马书懿 . 西北师范大学学报（自然科学版） . 2006,第006期
4. p-C-BN/p-Si薄膜同型异质结的电学特性 [C] . 李志中 ,陈光华 ,何斌 . 2006年全国功能材料学术年会 . 2006
5. B2O3,SiO2,Y2O3,Sb2O3掺杂对ZnO电阻器电学特性的影响 [A] . 郑雨萌 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号