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卢建献;
甘肃省水利水电勘测设计研究院有限责任公司 甘肃兰州 730000;
中小河流治理; 山洪沟道; 水毁; 稀性泥石流; 修复方案;
机译:降雨条件下滑坡沉积物的泥石流引入-以温家沟沟为例
机译:2009年10月,意大利西西里岛东北部墨西拿市区发生山洪和泥石流:以Giampilieri流域为例
机译:西北舟曲致命泥石流事件期间卫星估算和预报模式降雨数据的比较%西北舟曲致命泥石流事件期间卫星估算和预报模式降雨数据的比较%
机译:粘性泥石流复合通道的水力特性-以云南省小坊盆地达巴尼泥石流沟为例
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:单元晶体管耦合:用p沟道和n沟道FET记录钾电流的研究
机译:错误到:在由D.S.Chauhan和R. Agrawal发表于Vol的D. Schauhan和R. Agrawal发表的,对由收缩纸和多孔基材有多孔基材的沟道中的沟道中的沟道中的MHD流量和传热。 84,5,PP。1034-1046,2011年9月,
机译:不锈钢(ss)V沟道与铝(al)Y沟道底漆室组件(pCa)中助推器界面温度的比较,第1卷
机译:半导体器件包括至少一个沟道区,该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接,该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区,该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体,该沟道区至少由沟道区连接。
机译:N沟道晶体管,具有定义沟道纵向的沟道面积,其中沟道区域具有结晶硅材料,该结晶硅材料具有沿沟道纵向排列的牵引变形分量
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