SiA433EDJ：P沟道功率MOSFET

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Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。

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来源
《世界电子元器件》 |2009年第12期|41-41|共1页
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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;存贮器;
关键词
功率MOSFET; P沟道; SC-70封装; 沟道技术; 低导通电阻; 新器件; 第三代; 晶体管;

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