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NAND闪存; 闪存控制器; RS1; 多级单元; LSI电路; 控制器IC; TDK; MLC;
机译:TDK的GBDriver RA7系列NAND闪存LSI
机译:用于SD / MMC闪存卡的NAND闪存控制器
机译:错误:'横向电荷迁移在3D充电捕获NAND闪存中引起异常读取干扰NAND闪存'[应用。物理。快递13,054002(2020)]
机译:与2D浮栅MLC NAND闪存相比,用于SCM / NAND闪存混合SSD的3D电荷陷阱TLC NAND闪存具有20%的系统性能增益
机译:NAND闪存控制器中的访问控制机制
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:通过设计用于x8 NaND闪存器件的闪存控制器的性能增强
机译:评估3D NaND闪存的辐射敏感性。
机译:NAND闪存控制器以及NAND闪存与NAND闪存控制器之间的数据交换方法
机译:NAND闪存控制器和NAND闪存与NAND闪存控制器之间的数据交换方法
机译:在NAND闪存控制器和多个NAND闪存模块之间具有可编程连接的NAND闪存系统及其方法
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