SiB457EDK：P沟道功率MOSFET

机译：使用BSG掺杂的p柱深沟道制造超结沟道栅极功率MOSFET

机译：具有应变Si / SiGe多层沟道的沟道功率MOSFET的性能

机译：P沟道功率MOSFET接近N沟道性能

机译：利用主体轮廓优化研究短沟道功率沟道MOSFET

机译：用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET

机译：具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET

机译：功率短沟道MOSFET研究：高速低损耗研究

机译：N沟道功率mOsFET中单事件烧毁的温度依赖性

机译：半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法，使用石墨烯作为金属层，石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区，或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合，在电力半导体行业实现节能设备和环境进步

机译：作为拥有长沟道沟槽栅极功率MOSFET的空沟槽栅极功率MOSFET

机译：具有长沟道沟槽栅型功率MOSFET的零沟槽栅型功率MOSFET具有