C与Zn共掺杂InI电子结构与光学性质的第一性原理研究

陈巧悦; 马磊; 张丽丽

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C与Zn共掺杂InI电子结构与光学性质的第一性原理研究

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基于密度泛函理论的第一性原理,对C、Zn单掺及共掺InI体系的电子结构与光学性质进行研究。结果表明:掺杂后体系发生了晶格畸变,但并未改变体系的稳定性;相较于本征InI体系,C-InI体系与C-Zn-InI体系的禁带宽度减小,元素掺杂使费米能级附近出现杂质能级,增加了原子轨道对费米能级附近的贡献,并产生了带尾效应,使得掺杂后各体系均发生了红移现象;其中,C-InI体系的禁带宽度最小;C-InI体系在可见光区域的吸收系数最大,且体系的静介电常数也最大;由此可以推测出C-InI体系的光催化性能最好,这为降解污染物提供了一种选择。

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来源
《广东化工》 |2022年第21期|20-23|共4页
作者
陈巧悦; 马磊; 张丽丽;
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作者单位

伊犁师范大学物理科学与技术学院;

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正文语种 chi
中图分类化学工业;
关键词
GGA方法; 光学性质; 电子结构; 光催化; InI;

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