基于钯纳米线阵列修饰电极的抗坏血酸电化学研究

张燕; 张敏; 陈妹琼; 蔡志泉; 孙二双; 程发良

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基于钯纳米线阵列修饰电极的抗坏血酸电化学研究

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以氧化铝模板为基础,采用电化学沉积方法制备了钯纳米线阵列修饰金电极.电化学方法研究了该修饰电极对抗坏血酸电化学行为,实验结果表明,抗坏血酸在高度有序的钯纳米线饰电极表面出现显著的氧化峰.氧化峰的峰电流与抗坏血酸的浓度在4.0× 104-～3.15× 10-3 mol/L范围内有良好的线性关系,检测限可达1×10-4 mol/L.该电极制备方便,有良好的灵敏度和稳定性.

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来源
《广东化工》 |2014年第3期|24-25|共2页
作者
张燕; 张敏; 陈妹琼; 蔡志泉; 孙二双; 程发良;
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作者单位

东莞理工学院城市学院城市与环境科学系,广东东莞523000;

广东省生物传感器研究中心,广东东莞523000;

东莞理工学院城市学院城市与环境科学系,广东东莞523000;

东莞理工学院城市学院城市与环境科学系,广东东莞523000;

广东省生物传感器研究中心,广东东莞523000;

广东省生物传感器研究中心,广东东莞523000;

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正文语种 chi
中图分类化学工业;
关键词
钯纳米线; AAO; 抗坏血酸;

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