功率器件粗铝丝键合脱键失效机理分析

路聪阁; 鲍禹希; 李彩然; 刘彤; 张国良; 宋云鹤; 任宇欣

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粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点,被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大,粗铝丝/金层键合系统在长时间高温的环境下,容易发生引线剥离脱落,导致器件失效。本文利用SEM/EDS以及FIB等测试手段,系统研究了Al/Au界面的金属间化合物(intermetallic compound,IMC)及柯肯达尔空洞(kirkendall hole)的形成对粗铝丝键合脱键失效的影响。结果表明:粗铝丝键合脱键是源于高温过程中,金铝之间形成多种金属间化合物,引起体积变化,形成了连续的柯肯达尔空洞,最终导致键合脱键失效;降低金层厚度可以有效降低粗铝丝脱键导致的失效风险。

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来源
《广东化工》 |2022年第13期|87-89|共4页
作者
路聪阁; 鲍禹希; 李彩然; 刘彤; 张国良; 宋云鹤; 任宇欣;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
铝丝键合; 金属间化合物(IMC); 柯肯达尔空洞; 脱键; 功率器件;

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