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首件国产高压IGBT芯片通过鉴定

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最新发现与创新 9月12日，一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块中国科技网讯我国自主研发的高压大功率3300V／50AIGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A／3300VIGBT模块，今天（12日）通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。

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《科学技术创新》 |2013年第26期|I0001-I0001|共1页
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正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
IGBT模块; 高压大功率; 芯片封装; 专家鉴定; 绝缘栅双极型晶体管; 中国科技网; 国产; 技术人员;

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