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基于严格电磁场模型的光学光刻仿真

         

摘要

光学光刻技术已广泛应用于微电子机械系统(MEMS)以及集成电路(IC)领域.由于光刻工艺设备的价格十分昂贵,因此利用光刻仿真这一技术来预期工艺结果并优化工艺中存在的问题就显得很有必要.研究了一种基于严格电磁场模型的求解方法——波导方法,并将此方法拓展应用于模拟MEMS领域中的厚胶曝光场景.通过这一模型,可以模拟光刻胶内部的光强分布,并进一步预测出显影后的光刻胶形貌.最后,针对某些特定掩模版结构,给出它们的仿真结果并验证其正确性.

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