首页> 中文期刊> 《强激光与粒子束》 >氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究

氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究

         

摘要

建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式.从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N(P)型硅半导体中的泊松方程作积累(耗尽)近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解.另外,还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明,当氧化物正电荷增加到使P型半导体发生强反型后,近似解不再成立.根据强反型的条件,给出了P型半导体中近似解的适用范围.

著录项

  • 来源
    《强激光与粒子束》 |2015年第8期|263-268|共6页
  • 作者单位

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

    西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 辐射源;数理统计;
  • 关键词

    电离总剂量; 氧化物正电荷; 空间电势; 泊松方程;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号