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多级PIN限幅器高功率微波效应研究

         

摘要

基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型.根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟.针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚Ⅰ层PIN二极管结温升比后级薄Ⅰ层PIN二极管结温升要高,因此厚Ⅰ层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小.

著录项

  • 来源
    《强激光与粒子束》 |2014年第6期|65-70|共6页
  • 作者单位

    电子科技大学物理电子学院,国家863计划强辐射重点实验室,成都610054;

    电子科技大学物理电子学院,国家863计划强辐射重点实验室,成都610054;

    电子科技大学物理电子学院,国家863计划强辐射重点实验室,成都610054;

    电子科技大学物理电子学院,国家863计划强辐射重点实验室,成都610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN38;
  • 关键词

    电热耦合模型; PIN限幅器; 多级; 高功率微波效应;

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