不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

著录项

• 来源
  《强激光与粒子束》 |2014年第7期|264-269|共6页
• 作者

  陈睿; 余永涛; 董刚; 上官士鹏; 封国强; 韩建伟; 马英起; 朱翔;

  展开▼
• 作者单位

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院大学,北京100049;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院大学,北京100049;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院大学,北京100049;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  中国科学院国家空间科学中心,北京100190;

  展开▼
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 微电子学、集成电路（IC）;
• 关键词

  不同工艺尺寸; 单粒子闩锁效应; SEL三维仿真模型; 防护结构; 重离子辐照;