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折射率调制脉冲射线探测技术原理验证

         

摘要

为验证折射率调制的脉冲射线束探测技术,建立了原理验证系统.该系统基于平行平板干涉原理,测量传感介质的折射率在射线激发下的瞬时变化.传感介质为GaAs,探针光为1310 nm单模激光,外界激发射线源平均能量为300 keV,脉宽为20 ns.使用带宽775 kHz的近红外InGaAs光电探测器,观测到了GaAs晶体在脉冲射线激发下的折射率变化.初步理论分析表明,射线脉冲在GaAs中产生的非平衡载流子浓度为1014 cm-3量级,折射率变化为10-6量级.折射率变化的实验结果与理论计算在量级上是符合的.实验结果表明,基于折射率调制的脉冲射线束探测技术基本可行,利用该系统可进一步发展高时间分辨的脉冲射线束探测技术.

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