质子和中子在硅中位移损伤等效性计算

著录项

• 来源
  《强激光与粒子束》 |2013年第7期|1803-1806|共4页
• 作者

  王园明; 郭晓强; 罗尹虹; 陈伟; 王燕萍; 郭红霞; 张凤祁; 张科营; 王忠明;

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• 作者单位

  西北核技术研究所,西安710024;

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  西北核技术研究所,西安710024;

  西北核技术研究所,西安710024;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 无线电电子学的应用;
• 关键词

  中子; 质子; 硅; 反冲原子; 非电离能量阻止本领;