高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器

李辉; 曲轶; 张剑家; 辛德胜; 刘国军

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高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器

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设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200 μm、腔长800 μm的半导体激光器.两隧道结激光器在脉冲宽度100 ns,重复频率10 kHz,30 A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6 nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°.

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来源
《强激光与粒子束》 |2013年第10期|2517-2520|共4页
作者
李辉; 曲轶; 张剑家; 辛德胜; 刘国军;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022;

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
高功率; 应变量子阱; 隧道结; 半导体激光器;

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