脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响

陈曦; 杜正伟; 龚克

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脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响

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通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响.发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比.在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析.在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响.

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来源
《强激光与粒子束》 |2010年第7期|1602-1606|共5页
作者
陈曦; 杜正伟; 龚克;
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作者单位

清华大学,微波与数字通信国家重点实验室,北京,100084;

清华大学,微波与数字通信国家重点实验室,北京,100084;

清华大学,微波与数字通信国家重点实验室,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
微波脉冲; PIN限幅器; 热效应; 半导体器件仿真; 脉冲宽度;

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