CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

王桂珍; 白小燕; 郭晓强; 杨善潮; 李瑞宾; 林东生; 龚建成

首页> 中文期刊> 《强激光与粒子束》 >CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在"强光一号"加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异.实验结果表明:CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍.

著录项

来源
《强激光与粒子束》 |2009年第5期|742-744|共3页
作者
王桂珍; 白小燕; 郭晓强; 杨善潮; 李瑞宾; 林东生; 龚建成;
展开▼
作者单位

西北核技术研究所,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

西北核技术研究所,西安710024;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
CMOS电路; 辐照效应; 闩锁阈值; 翻转阈值; 脉冲宽度; 剂量率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型 [J] . 陈杰 ,杜正伟 . 强激光与粒子束 . 2013,第005期
2. 高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应 [J] . 郭旗 ,陆妩 . 核技术 . 1998,第008期
3. pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应 [J] . 范隆 ,沈志康 . 核技术 . 1998,第009期
4. 高功率微波脉冲宽度效应实验研究 [J] . 方进勇 ,刘国治 ,李平 . 强激光与粒子束 . 1999,第005期
5. 双极晶体管负载瞬态辐照毁伤效应 [J] . 赵墨 ,胡淑玲 ,申胜平 . 强激光与粒子束 . 2014,第007期
6. 电子元器件总剂量辐照在线测试系统及其在CMOS电路总剂辐照和快速退火效应研究中的应用 [C] . 余学峰 . 全国计算机在现代科学技术领域应用学术会议 . 1997
7. 超声定位辐照载药微泡对卵巢癌SKOV3裸鼠皮下移植瘤生物学效应的实验研究 [A] . 李蓉 . 2008

CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅