双边二次电子倍增效应分析

应旭华; 郝建红; 范杰清

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双边二次电子倍增效应分析

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根据高功率微波源相互作用腔结构.建立了一种双边二次电子倍增效应模型.采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律.分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响.结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致.

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来源
《强激光与粒子束》 |2009年第6期|906-910|共5页
作者
应旭华; 郝建红; 范杰清;
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作者单位

华北电力大学,电气与电子工程学院,北京,102206;

华北电力大学,电气与电子工程学院,北京,102206;

华北电力大学,电气与电子工程学院,北京,102206;

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正文语种 chi
中图分类二次电子发射、二次电子发射阴极;
关键词
双边二次电子倍增效应; 敏感曲线; 二次电子; 共振区域;

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