266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

王丽梅; 曾新吾

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266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的分子动力学模拟

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基于Stillinger-Weber(SW)势和"x-分区"模型,用分子动力学方法模拟了266 nm飞秒激光烧蚀单晶硅的过程.给出了烧蚀过程的物理图像,烧蚀过程中材料内部缺陷的产生与发展最终导致整层材料被移除.对比研究了烧蚀材料中不同区域粒子的运动轨迹,结果体现了在固、液、气不同状态下粒子的运动特征.模拟了激光诱导应力波的传播,其速度为8.18 km/s.

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来源
《强激光与粒子束》 |2008年第8期|1360-1364|共5页
作者
王丽梅; 曾新吾;
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作者单位

国防科学技术大学理学院,长沙,410073;

国防科学技术大学光电科学与工程学院,长沙,410073;

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正文语种 chi
中图分类变形固体动力学;非线性光学（强光与物质的作用）;
关键词
飞秒激光; 单晶硅; SW势; 分子动力学; 应力波;

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