超高速大电流半导体开关实验研究

周郁明; 余岳辉; 梁琳; 陈海刚

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超高速大电流半导体开关实验研究

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利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时间时,得到了25 ns的电压下降曲线.在主电容电压为8 kV时,得到峰值为10.1 kA、脉宽为34 μs、电流上升率为2.03 kA/μs的大电流脉冲.通过调整主电路,在主电容为3 kV时,得到的电流脉冲峰值为8.5 kA、脉宽为2.5 μs、电流上升率为7.2 kA/μs.结果表明,RSD是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件.

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来源
《强激光与粒子束》 |2006年第3期|447-450|共4页
作者
周郁明; 余岳辉; 梁琳; 陈海刚;
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作者单位

华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类脉冲技术、脉冲电路;
关键词
半导体开关; RSD; 等离子体; 大电流; 电流上升率;

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