采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜

陈志梅; 吴卫东; 唐永建; 许华; 唐晓虹; 李常明

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研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响.结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低.用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm.最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率.

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来源
《强激光与粒子束》 |2004年第5期|611-614|共4页
作者
陈志梅; 吴卫东; 唐永建; 许华; 唐晓虹; 李常明;
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作者单位

中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.05;
关键词
等离子体; 化学气相沉积; 空心阴极放电; CH薄膜;

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