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王治国; 祖小涛; 雷雨; 莫华强; 傅永庆;
电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054;
Department of Engineering,University of Cambridge,Trumpington Street,CB2,1PZ,Cambridge,UK;
TiNi形状记忆合金薄膜; H离子注入; 马氏体相变; 示差扫描量热仪; X射线衍射;
机译:质子辐照对TiNi形状记忆合金薄膜相变行为的影响
机译:电子辐照对二元TiNi形状记忆合金马氏体相变的影响
机译:TiNi形状记忆合金的辐照诱导马氏体相变
机译:电子辐照引起的TiNi形状记忆合金中马氏体相变特性的变化
机译:应力状态和析出对多晶和单晶形状记忆合金中应力诱发的马氏体相变的影响:实验和微机械建模。
机译:不同沉积条件下TINI形状记忆合金薄膜的晶粒尺寸和相变行为
机译:冷轧和变形后退火对TiNi形状记忆合金马氏体相变的影响
机译:辐照和质子注入对siO(sub 2)薄膜中移动质子密度的影响
机译:通过衬底加热制备TiNi形状记忆合金薄膜的方法
机译:降低马氏体相变温度的形状记忆合金的马氏体相变温度的过程
机译:马氏体相变温度低的Cu-Zn-Al6%-形状记忆合金的制备方法。
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