首页> 中文期刊> 《强激光与粒子束》 >60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响舷

         

摘要

利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征.通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Ar的下降,而对R相变开始R,和结束温度Rr影响不大.掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成.H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号