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H2及H+对CxH1-x薄膜表面状态的影响

         

摘要

系统研究了H2流量和H+原位处理CxH1-x薄膜的时间对CxH1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响,表明CxH1-x薄膜的长时间H+原位处理是减小CxH1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径.

著录项

  • 来源
    《强激光与粒子束》 |2000年第5期|593-596|共4页
  • 作者单位

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,919-987信箱,621900;

    四川大学分析测试中心,成都,610064;

    四川大学分析测试中心,成都,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TL639.11;
  • 关键词

    CxH1-x薄膜; 悬挂键密度; 局域化; ICF靶涂层技术;

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