半导体纳米粒子在反胶束中的合成及其与芘分子间的跨相电子转移

臧泠; 刘春艳; 赵进才

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半导体纳米粒子在反胶束中的合成及其与芘分子间的跨相电子转移

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本文在ＡＯＴ／异辛烷反胶束中合成了ＣｄＳ和ＺｎＳ半导体纳米粒子．粒子的荧光量子产率随胶束水含量的增大而减小．这可以归结为水含量增大导致胶粒表面Ｃｄ^（２＋）或Ｚｎ^（２＋）离子浓度降低，因为这两种离子在胶粒表面富集有利于形成硫空位，从而增大光生电子－空穴对的发光复合．研究发现，Ａｇ~＋离子可以有效猝灭ＣｄＳ和ＺｎＳ纳米粒子的荧光发射，该猝灭过程可以用Ａｇ~＋离子在胶束中的Ｐｏｉｓｓｏｎ分布来描述．以溶解在有机相中的ｐｙｒｅｎｅ作电子给体，在光激发下可以向ＣｄＳ粒子注入电子，而和ＺｎＳ粒子间没有电荷转移发生，这可以解释为两种半导体的导带边相对于ｐｙｒｅｎｅ激发态氧化电位所处的位置不同。Ｃｕ^（２＋）或Ａｇ~＋离子在ＺｎＳ颗粒表面吸附，可以形成Ｃｕ_ｘＺｎ_（１－ｘ）Ｓ或Ａｇ_（２ｘ）Ｚｎ_（１－ｘ）Ｓ复合粒子，降低ＺｎＳ粒子的导带位置，从而使之能够接受来自ｐｙｒｅｎｅ激发态的电子．实验结果证实了这种论点．

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来源
《影像科学与光化学》 |1996年第4期|331|共1页
作者
臧泠; 刘春艳; 赵进才;
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作者单位

中国科学院感光化学研究所;

中国科学院感光化学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
半导体; 纳米粒子; 反胶束; 电子转移; 芘;

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