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N-S/TiO2薄膜太阳光下光电催化降解甲基橙的研究

         

摘要

cqvip:以过硫酸铵水溶液为氮源(N)、硫源(S),通过阳极氧化法在不同电压下成功制备出了N-S/TiO2薄膜。采用SEM、XRD、XPS和UV-vis NIR对Ti O2薄膜进行表征分析,并研究了其在太阳光下对甲基橙(MO)的降解性能。结果表明,随着氧化电压的升高,N、S掺杂浓度逐渐增加,Ti O2薄膜逐渐变成多孔结构且向锐钛矿晶相转化。氧化电压为40 V的薄膜降解效果最好,在模拟太阳光下照射20 min,其对MO的脱色率为98.71%,TOC去除率为59.44%。重复使用10次,仍表现出较高的降解效率。

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